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FDG6322C

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 25/-25V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDG6322C
Símbolo TME:
FDG6322C

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Clase de transistor
par complementario
Tensión drenaje-fuente
25/-25V
Corriente del drenaje
0,22/-0,41A
Poder disipado
0,3W
Carcasa
SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente
±8/±8V
Resistencia en estado de transferencia
7/1,9Ω
Montaje
SMD
Carga de puerta
0,4/1,5nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.016 g
Certificados

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