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FDG6335N

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0,7A; 0,3W

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDG6335N
Símbolo TME:
FDG6335N

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
20V
Corriente del drenaje
0,7A
Poder disipado
0,3W
Carcasa
SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente
±12V
Resistencia en estado de transferencia
442mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
1,4nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.014 g
Certificados

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