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El productor: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 2,9A | |
Corriente del drenaje en impulso | 10A | |
Poder disipado | 1,5W | |
Carcasa | MicroFET | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 268mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 3nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |