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El productor: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 100/-80V | |
Corriente del drenaje | 6/-6A | |
Poder disipado | 2,5W | |
Carcasa | WDFN12 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 323/191mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 19/5nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Estructura del semiconductor | drenaje conjunto | |
Propiedades de elementos semiconductores | MOSFET H-Bridge |