FDS3890

Name: ONSEMI FDS3890
Brand: ONSEMI
SKU: FDS3890
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4,7A; Idm: 20A; 2W; SO8

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

FDS3890

Símbolo TME:

FDS3890

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.73 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.73 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 2.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 2.17 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.89 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.22 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 1.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 1.05 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.99 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.99 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.95 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.95 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	PowerTrench®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	80V
Corriente del drenaje	4,7A
Corriente del drenaje en impulso	20A
Poder disipado	2W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	82mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	35nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido