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FDS4465

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13,5A; 2,5W; SO8

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS4465
Símbolo TME:
FDS4465

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
P-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-20V
Corriente del drenaje
-13,5A
Poder disipado
2,5W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±8V
Resistencia en estado de transferencia
10,5mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
0,12µC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.117 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal P SMD ONSEMI,
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FDS4465
0 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.62 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.41 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 1.02 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 1.02 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.95 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.95 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.90 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und