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FDS4675

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2,4W; SO8

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS4675
Símbolo TME:
FDS4675

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
P-MOSFET
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-40V
Corriente del drenaje
-11A
Poder disipado
2,4W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
21mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
56nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.105 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal P SMD ONSEMI,
*
FDS4675
52 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.65 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.32 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.14 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.82 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.82 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.76 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.76 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.72 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und