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FDS6898A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9,4A; 2W; SO8

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS6898A
Símbolo TME:
FDS6898A

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
20V
Corriente del drenaje
9,4A
Poder disipado
2W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±12V
Resistencia en estado de transferencia
21mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
23nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.129 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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FDS6898A
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Método de envasado por el fabricante:Rulo = 2 500 und