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Familia de productos

FDS6898A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9,4A; 2W; SO8

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS6898A
Símbolo TME:
FDS6898A

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
20V
Corriente del drenaje
9,4A
Poder disipado
2W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±12V
Resistencia en estado de transferencia
21mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
23nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.129 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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FDS6898A
1686 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.87 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.87 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.65 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.60 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und