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FDS6912A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1,6W; SO8

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS6912A
Símbolo TME:
FDS6912A

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
6A
Poder disipado
1,6W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
28mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
8,1nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Propiedades de elementos semiconductores
logic level
Peso bruto0.152 g
Certificados
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FDS6912A
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