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FDS89161LZ

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS89161LZ
Símbolo TME:
FDS89161LZ

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
2,7A
Poder disipado
31W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
182mΩ
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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