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Familia de productos

FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FDS8949
Símbolo TME:
FDS8949

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
PowerTrench®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
40V
Corriente del drenaje
6A
Poder disipado
2W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
43mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
11nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.141 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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FDS8949
1987 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.05 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.65 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.55 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.41 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.40 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 500 und