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El productor: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | ||
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | ||
Tecnología | PowerTrench® | ||
Polarización | unipolar | ||
Tensión drenaje-fuente | -60V | ||
Corriente del drenaje | -2,9A | ||
Poder disipado | 2W | ||
Carcasa | SO8 | ||
Tensión puerta-fuente | ±20V | ||
Resistencia en estado de transferencia | 0,19Ω | ||
Montaje | SMD | ||
Carga de puerta | 23nC | ||
Clase de empaquetado | bobina, cinta | ||
Clase de canal | enriquecido |