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FGA40N65SMD

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FGA40N65SMD
Símbolo TME:
FGA40N65SMD

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
IGBT
Tensión colector-emisor
650V
Corriente de colector
40A
Poder disipado
174W
Carcasa
TO3P
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
120A
Montaje
THT
Carga de puerta
119nC
Clase de empaquetado
tubo
Propiedades de elementos semiconductores
integrated anti-parallel diode
Peso bruto5.213 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores IGBT THT ONSEMI,
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FGA40N65SMD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und