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FGA40T65SHD

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FGA40T65SHD
Símbolo TME:
FGA40T65SHD

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
IGBT
Tensión colector-emisor
650V
Corriente de colector
40A
Poder disipado
134W
Carcasa
TO3P
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
120A
Montaje
THT
Carga de puerta
72,2nC
Clase de empaquetado
tubo
Propiedades de elementos semiconductores
integrated anti-parallel diode
Peso bruto5.215 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores IGBT THT ONSEMI,
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FGA40T65SHD
424 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 2.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 2.17 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 2.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 2.07 USD
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Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und