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FGA60N65SMD

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN

Documentación EN
Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
FGA60N65SMD
Símbolo TME:
FGA60N65SMD

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
IGBT
Tensión colector-emisor
650V
Corriente de colector
60A
Poder disipado
300W
Carcasa
TO3PN
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
180A
Montaje
THT
Carga de puerta
284nC
Clase de empaquetado
tubo
Propiedades de elementos semiconductores
integrated anti-parallel diode
Peso bruto5.264 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores IGBT THT ONSEMI,
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FGA60N65SMD
96 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 5.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 5.64 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 5.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 5.13 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 4.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 4.35 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 3.67 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 3.67 USD
Precio neto para cantidades a partir de 60 und - 3.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 60 und - 3.54 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und