FZ2000R33HE4BOSA1
Módulo: IGBT; transistor/transistor,emisor compartido; IGBT x3
El productor: INFINEON TECHNOLOGIES
Denominación de fabricante:
FZ2000R33HE4BOSA1
Símbolo TME:
FZ2000R33HE4BOSA1
Especificación
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | emisor compartido, transistor/transistor | |
Topología | IGBT x3 | |
Tensión de retorno máx. | 3,3kV | |
Corriente de colector | 2kA | |
Carcasa | AG-IHVB190-3 | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 4kA | |
Tecnología | TRENCHSTOP™ | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto1.2 kg
Certificados
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* FZ2000R33HE4BOSA1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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