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FZ600R12KE3

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; 2,8kW

El productor: INFINEON TECHNOLOGIES

Denominación de fabricante:
FZ600R12KE3
Símbolo TME:
FZ600R12KE3

Especificación

Fabricante
INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
600A
Carcasa
AG-62MM-2
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
1,2kA
Poder disipado
2,8kW
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto340 g
Certificados
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FZ600R12KE3
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