FZ600R12KE3HOSA1
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; 2,8kW
El productor: INFINEON TECHNOLOGIES
Denominación de fabricante:
FZ600R12KE3HOSA1
Símbolo TME:
FZ600R12KE3HOSA1
Especificación
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 600A | |
Carcasa | AG-62MM | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 1,2kA | |
Poder disipado | 2,8kW | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto338.6 g
Certificados
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* FZ600R12KE3HOSA1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 207.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 207.16 USD