FZ825R33HE4DBPSA1
Módulo: IGBT; transistor/transistor,emisor compartido; IGBT x2
El productor: INFINEON TECHNOLOGIES
Denominación de fabricante:
FZ825R33HE4DBPSA1
Símbolo TME:
FZ825R33HE4DBPSA1
Especificación
Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | emisor compartido, transistor/transistor | |
Topología | IGBT x2 | |
Tensión de retorno máx. | 3,3kV | |
Corriente de colector | 825A | |
Carcasa | AG-IHVB130 | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 1,65kA | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto25 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT INFINEON TECHNOLOGIES,
* FZ825R33HE4DBPSA1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1 883.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1 883.46 USD
Precio neto para cantidades a partir de 2 und - 1 744.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2 und - 1 744.80 USD