G3R20MT12N
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 74A; SOT227B; atornillado
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
G3R20MT12N
Símbolo TME:
G3R20MT12N
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | ||
Corriente del drenaje | 74A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 20mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 240A | ||
Poder disipado | 365W | ||
Tecnología | G3R™, SiC | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Tensión puerta-fuente | -5...15V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.39 g
Certificados
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* G3R20MT12NNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
105 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 55.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 55.06 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 52.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 52.90 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 51.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 51.90 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und