GeneSiC SEMICONDUCTOR

La empresa GeneSiC Semiconductor fue fundada en 2002 en los EE. UU. y desde el principio se ha centrado en el desarrollo, prueba y producción de componentes innovadores en la nueva tecnología de carburo de silicio (SiC, de silicon carbide). El resultado de estas actividades son principalmente diodos y transistores SiC caracterizados por bajas pérdidas, alta eficiencia y resistencia a altas temperaturas de operación. Estas soluciones se utilizan donde las condiciones o los requisitos superan las capacidades de la tecnología de silicio clásica, especialmente en convertidores de energía renovable, en controladores de alta potencia utilizados en el campo de la automatización industrial y la energía, así como en aplicaciones en el campo militar y muchas otras áreas.

El catálogo de TME incluye una serie de componentes semiconductores GenaSiC con carburo de silicio. Estos incluyen diodos Schottky (tanto THT como SMD) con una intensidad de corriente de hasta 50 A (400 A en un impulso), así como módulos de diodo (atornillados) con una conductividad máxima de hasta 420 A ( 800A en un impulso). De la cartera del proveedor, también ofrecemos transistores unipolares, módulos MOSFET y componentes relacionados.