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GD1000HFX170P2S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 1000A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD1000HFX170P2S
Símbolo TME:
GD1000HFX170P2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
1kA
Carcasa
P2.0
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
2kA
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto1.21 kg
Certificados
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GD1000HFX170P2S
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