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GD100FFX170C6S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD100FFX170C6S
Símbolo TME:
GD100FFX170C6S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
puente trifásico IGBT, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
100A
Carcasa
C6 62mm
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
200A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD100FFX170C6S
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