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GD100HFU120C8S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 100A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD100HFU120C8S
Símbolo TME:
GD100HFU120C8S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
100A
Carcasa
C8 48mm
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
200A
Tecnología
NPT Ultra Fast IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto200 g
Certificados
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GD100HFU120C8S
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