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GD100PIY120C6SN

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD100PIY120C6SN
Símbolo TME:
GD100PIY120C6SN

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
100A
Carcasa
C6 62mm
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
200A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto200 g
Certificados
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GD100PIY120C6SN
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