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GD100SGY120D6S

Módulo: IGBT; transistor individual; tiristor individual; D6

Familia de productos

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD100SGY120D6S
Símbolo TME:
GD100SGY120D6S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Topología
tiristor individual
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
100A
Carcasa
D6
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
200A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto24 g
Certificados
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GD100SGY120D6S
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