GD10PJX65F1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD10PJX65F1S
Availability: InStock

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

GD10PJX65F1S

Símbolo TME:

GD10PJX65F1S

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 35.01 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 35.01 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 30.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 30.97 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 27.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 27.85 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 26.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 26.00 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	diodo/transistor
Topología	boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	650V
Corriente de colector	10A
Carcasa	F1.1
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	20A
Tecnología	Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado