GD10PJY120L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD10PJY120L2S
Availability: OutOfStock

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

GD10PJY120L2S

Símbolo TME:

GD10PJY120L2S

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 32.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 32.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 28.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 28.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 25.52 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 25.52 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24 und - 23.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24 und - 23.78 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	diodo/transistor
Topología	boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	10A
Carcasa	L2.2
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	20A
Tecnología	Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado