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GD1200HFY120C3S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 1200A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD1200HFY120C3S
Símbolo TME:
GD1200HFY120C3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
1,2kA
Carcasa
C3 130mm
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
2,4kA
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto1.5 kg
Certificados
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GD1200HFY120C3S
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