GD15PJY120F1S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F1S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD15PJY120F1S
Availability: InStock

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

GD15PJY120F1S

Símbolo TME:

GD15PJY120F1S

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 40.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 40.45 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 35.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 35.71 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 32.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 32.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 29.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 29.93 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteBandeja = 25 und

Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	diodo/transistor
Topología	boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	15A
Carcasa	F1.1
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	30A
Tecnología	Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado