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GD15PJY120F1S

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Familia de productos

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD15PJY120F1S
Símbolo TME:
GD15PJY120F1S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
15A
Carcasa
F1.1
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
30A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto24.91 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
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GD15PJY120F1S
24 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.17 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 34.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 34.58 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 31.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 31.11 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 28.99 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 28.99 USD
Método de envasado por el fabricante:Bandeja = 25 und