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GD1600SGX170C3S

Módulo: IGBT; transistor/transistor,puerta común; IGBT x2

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD1600SGX170C3S
Símbolo TME:
GD1600SGX170C3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
puerta común, transistor/transistor
Topología
IGBT x2
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
1,6kA
Carcasa
C3 130mm
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
3,2kA
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto1.5 kg
Certificados
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GD1600SGX170C3S
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