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GD200HFU120C2S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD200HFU120C2S
Símbolo TME:
GD200HFU120C2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
200A
Carcasa
C2 62mm
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
400A
Tecnología
NPT Ultra Fast IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD200HFU120C2S
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