+1 500 000 productos en oferta

6000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

GD200HFX65C2S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD200HFX65C2S
Símbolo TME:
GD200HFX65C2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
200A
Carcasa
C2 62mm
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
400A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFX65C2S
0 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 12)
Producto a pedido especial