GD20PJX65L2S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD20PJX65L2S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD20PJX65L2S
Availability: OutOfStock

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

GD20PJX65L2S

Símbolo TME:

GD20PJX65L2S

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.71 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 34.99 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 34.99 USD

Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 31.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 31.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24 und - 29.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24 und - 29.35 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	diodo/transistor
Topología	boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	650V
Corriente de colector	20A
Carcasa	L2.2
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	40A
Tecnología	Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado