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GD300HFX65C6S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 300A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD300HFX65C6S
Símbolo TME:
GD300HFX65C6S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
300A
Carcasa
C6 62mm
Montaje eléctrico
atornillado, Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
600A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD300HFX65C6S
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 93.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 93.20 USD
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