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GD300SGY120C2S

Módulo: IGBT; transistor individual; tiristor individual

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD300SGY120C2S
Símbolo TME:
GD300SGY120C2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Topología
tiristor individual
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
300A
Carcasa
C2 62mm
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
600A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD300SGY120C2S
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