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GD30PJX65F1S

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD30PJX65F1S
Símbolo TME:
GD30PJX65F1S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
30A
Carcasa
F1.1
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
60A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto26 g
Certificados
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GD30PJX65F1S
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Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 31.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 31.70 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 25)