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GD35PJY120F2S

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD35PJY120F2S
Símbolo TME:
GD35PJY120F2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
35A
Carcasa
F2.0
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
70A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto42 g
Certificados
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GD35PJY120F2S
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Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 43.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 43.62 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 25)