GD35PJY120L3S

Name: STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S
Brand: STARPOWER SEMICONDUCTOR
SKU: GD35PJY120L3S
Availability: InStock

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

GD35PJY120L3S

Símbolo TME:

GD35PJY120L3S

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 58.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 58.08 USD

Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 51.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 51.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 16 und - 46.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 16 und - 46.07 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteBandeja = 16 und

Fabricante	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	diodo/transistor
Topología	boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	35A
Carcasa	L3.0
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	70A
Tecnología	Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico	atornillado