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GD450HFX65C6S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 450A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD450HFX65C6S
Símbolo TME:
GD450HFX65C6S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
450A
Carcasa
C6 62mm
Montaje eléctrico
atornillado, Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
900A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD450HFX65C6S
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 108.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 108.85 USD
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