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GD450HTX170C7S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; C7

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD450HTX170C7S
Símbolo TME:
GD450HTX170C7S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT x3, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
450A
Carcasa
C7
Montaje eléctrico
atornillado, Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
900A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto910 g
Certificados
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GD450HTX170C7S
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