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GD50FSX65L2S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD50FSX65L2S
Símbolo TME:
GD50FSX65L2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
50A
Carcasa
L2.1
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
100A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto24 g
Certificados
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GD50FSX65L2S
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