+1 500 000 productos en oferta

6000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

GD50FSX65L2S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD50FSX65L2S
Símbolo TME:
GD50FSX65L2S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
50A
Carcasa
L2.1
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
100A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto24 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD50FSX65L2S
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 41.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 41.96 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 37.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 37.03 USD
Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 33.37 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 33.37 USD
Precio neto para cantidades a partir de 24 und - 31.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24 und - 31.07 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)