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GD50PJX65L3S

Módulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Familia de productos

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD50PJX65L3S
Símbolo TME:
GD50PJX65L3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
boost chopper, rectificador de 3-fásico, Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
50A
Carcasa
L3.0
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
100A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto39 g
Certificados
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GD50PJX65L3S
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