+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

GD650HFX170P1S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 650A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD650HFX170P1S
Símbolo TME:
GD650HFX170P1S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
650A
Carcasa
P1.0
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
1,3kA
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto825 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD650HFX170P1S
0 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 9)
Producto a pedido especial