+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

GD75FSY120L3S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 75A; L3.2

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD75FSY120L3S
Símbolo TME:
GD75FSY120L3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
Salida OE del puente IGBT trifásico, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
75A
Carcasa
L3.2
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
150A
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto39 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD75FSY120L3S
0 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 16)
Producto a pedido especial