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GD800HFX170C3S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 800A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD800HFX170C3S
Símbolo TME:
GD800HFX170C3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,7kV
Corriente de colector
800A
Carcasa
C3 130mm
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
1,6kA
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto1.5 kg
Certificados
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GD800HFX170C3S
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Precio neto para cantidades a partir de 8 und - 388.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 8 und - 388.44 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 8)