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GD80TLQ120F1S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; TNPC inversor de 3 niveles

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD80TLQ120F1S
Símbolo TME:
GD80TLQ120F1S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
termistor NTC, TNPC inversor de 3 niveles
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
80A
Carcasa
F1.2
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
160A
Tecnología
Advanced Trench FS Fast IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto26 g
Certificados
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GD80TLQ120F1S
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Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 46.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 46.69 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 25)