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GD900HFY120P1S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 900A

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD900HFY120P1S
Símbolo TME:
GD900HFY120P1S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
900A
Carcasa
P1.0
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
1,8kA
Tecnología
Advanced Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto825 g
Certificados
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GD900HFY120P1S
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