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HP8M51TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-4,5A; Idm: 18A

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
HP8M51TB1
Símbolo TME:
HP8M51TB1

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100/-100V
Corriente del drenaje
4,5/-4,5A
Corriente del drenaje en impulso
18A
Poder disipado
7W
Carcasa
HSOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
180/320mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
15/26,2nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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HP8M51TB1
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