HS8K11TB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR HS8K11TB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: HS8K11TB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

HS8K11TB

Símbolo TME:

HS8K11TB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.87 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.87 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.28 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	7/11A
Corriente del drenaje en impulso	28...44A
Poder disipado	2W
Carcasa	uDFN8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	29,1/15,4mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	11,1/20,2C
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido